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650-V-SiC-MOSFET-Evaluierungsboard
Board von Wolfspeed ermöglicht Evaluierung von 650-V-Siliziumkarbid-MOSFET und -Schottky-Dioden
Das Evaluierungsboard KIT-CRD-3DD065P von Wolfspeed demonstriert die Schalt- und Wärmeleistung von 650-V-SiC-MOSFET und -Schottky-Dioden. Das Board kann für den Betrieb als Abwärts- oder Aufwärtswandler im synchronen oder asynchronen Modus konfiguriert werden. Benutzer können innerhalb weniger Minuten nach dem Auspacken des Kits mit den Tests beginnen.
Merkmale
- Entwickelt für Messung von:
- Zeitsteuerung: TVerzögerung-Ein, TVerzögerung-Aus, TAnstieg und TAbfall
- Überschwingen: VDS-Max und ID-Max
- Geschwindigkeit: dI/dT und dV/dT
- Schaltverlust: EON, EOFF und ERR
- Wirkungsgrad im Betrieb: bis zu 2,5 kW
- DC-Ein-/Ausgangsspannung: 450 V (max.)
- Leistung (max.): 2,5 kW bei 100 kHz (begrenzt durch eingebaute Spule, höhere Werte sind mit anderer Spule möglich)
- Kompatibel mit TO-247-4- und TO-247-3-SiC-MOSFET
- Kompatibel mit TO-247- und TO-220-SiC-Schottky-Dioden
- Dedizierte Gate-Treiber und isolierte Stromversorgungen für jeden C3M-SiC-MOSFET
- Optimierte Standorte für Messungen des Drain-Stroms (VGS, VDS und IS) mit Oszilloskop
- Unterstützung synchroner und asynchroner Ab- und Aufwärtswandlungstopologien
Anwendungen
- Industrielle Hochleistungsstromversorgungen
- Netzteile für Server und Telekommunikation
- Ladesysteme für Elektrofahrzeuge
- Energiespeichersysteme (ESS)
- Solar-(PV-)Wechselrichter
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Batteriemanagementsysteme (BMS)
650 V SiC MOSFET Evaluation Board
| Bild | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Typ | Funktion | Verwendetes IC / Teil | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | KIT-CRD-3DD065P | 650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KIT | Leistungsmanagement | Gate-Treiber | 3DD065P | 20 - Sofort | Details anzeigen |
Associated MOSFETs
| Bild | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Technologie | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | Verfügbare Menge | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | C3M0120065J | 650V 120M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 0 | Details anzeigen |
| | C3M0060065J | SICFET N-CH 650V 36A TO263-7 | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 600 - Sofort | Details anzeigen |
|  | C3M0025065K | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 0 | Details anzeigen |
|  | C3M0015065D | SICFET N-CH 650V 120A TO247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 498 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0120065K | 650V 120M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 443 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0120065D | 650V 120M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 430 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0060065D | SICFET N-CH 650V 37A TO247-3 | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 1314 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0025065D | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 743 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0015065K | SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 0 | Details anzeigen |
| | C3M0060065K | SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 0 | Details anzeigen |
| | C3M0045065D | GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 792 - Sofort | Details anzeigen |
| | C3M0045065K | GEN 3 650V 49A SIC MOSFET | SiCFET (Siliziumkarbid) | 650 V | 15V | 0 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2021-07-06
